Fet结构其实英特尔和万国商业机器公司都是有在研究，凭着他们庞大的研发人员进行技术攻关在这些方面都是追得非常紧。
soi工艺与金属氧化物半导体工艺相比较的话，在28纳米节点，soi晶圆有一定的优势，但是到了20纳米和14纳米，soi的优势就很明显了，soi晶圆的成本低于金属氧化物半导体的，更远低于FinFet的晶圆成本。
杨杰清楚地知道只有高端计算机或者服务所用的高性能处理器能承受FinFet的高成本，从半导体产业发展来看，智能手机是重要的推动力量，不过智能手机处理器要承受价格和功耗的压力。
作为现阶段智能手机的巨头公司，华兴集团公司选择发展soi工艺自然是非常现实的选择，现在华兴集团公司自己已经能够开始生产绝缘体上硅晶圆片，但是soi工艺和金属氧化物半导体的工艺是相似的，到最后华兴集团公司还是要补上自己的技术短板。
英飞凌在金属氧化物半导体结构设计开发上是很拿手的，而且这些技术移植到soi难度并不大。
前世的时候，意法半导体依托soi工艺在28纳米节点实现了主频高达3g赫兹的双核a9处理器，在手机实际应用中，其功耗比主频1.4gh中的四核a9处理器还低，有力地展示了soi工艺的优势。
这种soi工艺可以将工作电压降低至大约0.6V，而相比之下金属氧化物半导体工艺的最小极限值一般在0.9V左右，使用soi的后向偏置技术可以提供更宽动态范围的性能，因此特别适合移动和消费级多媒体应用。
作为重生的顶尖集成电路科学家，杨杰对每一种的一种工艺技术都是了解其未来可扩展性，至少从14纳米到7纳米，soi可以发展出三代工艺技术。
实际上，soi工艺更易实现高性能存储设计，在处理器的开发上，soi的嵌入式存储解决方案不但获得了容量的提升，更在性能上大幅提升。
soi与FinFet可谓殊途同归，所以两种工艺并非完全对立的技术，soi工艺也是可以从2D发展到3D，即发展为soiFinFet工艺。
现在国内已经基于FinFet结构工艺发展出了一个生态系统，已经形成了工艺研究、晶圆、iP、代工厂、集成电路设计服务公司、集成电路设计公司的产业链。
杨杰也是希望在这个基础上再次能够围绕soi结构工艺建立一个生态系统。
现在华兴集团公司已经掌握了soi晶圆的制备技术，现在已经在实验生产线上开始导入soi工艺来试制采用soi材料的处理器，不过龙芯半导体公司在soi结构工艺的iP设计上经验不够，进度还是比较缓慢，不过公司还是在坚持自主研发。
工艺是基础、设计是龙头，设计必须与工艺紧密结合，国内缺乏在金属氧化物半导体结构工艺上的技术团队不是一朝一夕就能实现的。
soi在射频领域领域的应用潜力非常大，这方面英飞凌旗下的无线技术部门和英飞凌旗下的晶圆厂是比较拿手的，在考察英飞凌无线技术部门的时候杨杰也是深有体会的。
还真是瞌睡来了有人送枕头呀！
杨杰心中也是窃喜不已，此时他已经是下定了决心要将这支技术团队给买下来，不过这份心思他却是丝毫没有泄露出来。11